삼성전자, 세계 최초 3D-TSV D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 3D-TSV(Through SiliconVia) 기술을 적용한 8GB(기가바이트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다.

삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 칩을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했으며 최근 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다고 7일 밝혔다.

3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법이라고 회사 측은 설명했다.

이 기법은 쌓아올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어 본딩(Wire bonding) 방식에 비해 빠르게 동작하는 것은 물론 칩의 두께를 줄이고 소비전력도 줄일 수 있다고 회사 측은 덧붙였다.

또 기존 제품보다 2~4배 큰 대용량을 구현할 수 있어 서버에 탑재하는 메모리 용량을 늘려 서버시스템의 성능을 최소 50% 이상 향상시킬 수 있다.

기존 2Gb 칩을 와이어 본딩 방식으로 적층한 대용량 RDIMM(4-Rank) 제품은 서버에서 800Mbps 속도로 동작하는데 비해, 3D-TSV 방식으로 적층한 대용량 RDIMM의 동작속도는 1천333Mbps로, 속도를 70% 향상시킬 수 있고 소비 전력도 40% 이상 절감할수 있다.

삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용, 32GB이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 계획이다.