삼성전자, 세계 첫 3나노 반도체 양산 출하‥"한계 넘은 혁신"

삼성전자, 세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식 2022.7.25 [공동취재]

삼성전자가 세계 최초로 3나노 공정을 통한 파운드리 제품 양산에 성공했다고 밝혔습니다.

삼성전자는 오늘 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔습니다.

행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사 및 임직원, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여명이 참석했습니다.

삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했습니다.

3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였습니다.

특히 삼성전자가 업계 최초로 적용한 GAA는 기존의 핀펫 기술보다 칩 면적과 소비 전력은 줄이고 성능은 높인 신기술로, 핀펫이 가지는 3나노 이하 공정의 한계를 극복할 수 있어 차세대 파운드리의 `게임 체인저`로 꼽혀왔습니다.

삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감되고 성능은 23% 향상됐으며, 면적은 16% 축소됐다고 설명했습니다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초반부터 시작했고, 2017년부터 3나노 공정에 적용한 끝에 마침내 양산에 성공했습니다.

삼성전자 파운드리사업부는 오늘 출하식에서 `혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다`는 포부를 밝혔습니다.

이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체업계의 노력에 감사를 표한 뒤 "앞으로도 3나노 공정이 높은 합격품 비율인 수율을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다"고 독려했습니다.

이어 "정부도 최근 발표한 `반도체 초강대국 달성전략`을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 약속했습니다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅에 처음 적용하고, 주요 고객사와 협력해 모바일 시스템온칩 등 다양한 제품군으로 확대할 계획입니다.

또한 화성캠퍼스에 이어 향후 평택 캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품의 양산을 확대해 나갈 예정입니다.

업계는 삼성전자의 3나노 양산 성공으로 TSMC가 독주하고 있는 파운드리 시장에 판도 변화가 올지 주목하고 있습니다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 매출 점유율은 TSMC가 53.6%였고, 삼성은 16.3%에 불과했습니다.

업계는 삼성전자가 3나노 공정의 수율을 안정적으로 끌어올리는 것이 고객사를 늘리는 관건이 될 것으로 보고 있습니다.