삼성전자, 업계 최초로 '12단 HBM' 개발 성공

삼성전자가 D램 칩을 12단으로 쌓은 5세대 고대역폭 메모리(HBM) D램을 개발했습니다.

삼성전자는 24기가바이트 D램 칩을 실리콘 관통 전극 기술인 TSV를 이용해 12단까지 쌓았고, 업계 최대 용량인 36기가바이트 HBM3E 12H를 구현했다고 밝혔습니다.

TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술입니다.

이번에 삼성전자가 개발한 HBM3E는 전작보다 성능과 용량이 50% 이상 개선됐는데, 상반기부터 양산할 예정입니다.

이런 가운데 미국의 반도체 회사 마이크론도 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 발표했습니다.

마이크론은 4세대 제품인 HBM3을 건너뛰고 곧바로 5세대 고대역폭 메모리 생산에 뛰어들었습니다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아서 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리 반도체입니다.

대량의 데이터를 빠르게 처리할 수 있는 AI 반도체의 핵심 부품인데, 일반 D램보다 가격이 3~5배 비싸지만 수익성도 5~10배 수준으로 부가 가치가 높습니다.