중국과 합작해 삼성 반도체 기술 빼돌린 대표 등 2명 구속 송치

삼성전자 반도체 기술 중국유출 범행 기업

국가핵심기술인 삼성전자 반도체 기술을 유출해 중국에서 반도체 생산을 시도한 삼성전자 전 임원과 전 수석연구원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌습니다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 중국 청두시 자본으로 업체를 설립하고 삼성전자 반도체 핵심기술을 유출한 혐의로 66살 대표 최 모 씨와 60살 공정설계실장 오 모 씨를 구속 송치했습니다.

경찰 조사결과, 최 씨는 삼성전자와 옛 하이닉스반도체 임원을 지낸 뒤 중국에 삼성전자 복제공장 건설하려다 실패하자 2020년 9월 중국에 반도체 제조업체를 설립했습니다.

이후 삼성전자 전 D램 메모리 수석연구원인 오 씨를 공정설계실장으로 영입하는 등 국내 반도체 핵심인력을 영입해 삼성전자 20나노급 D램 메모리 반도체 공정단계별 핵심기술을 유출한 혐의를 받고 있습니다.

통상 최초 개발제품 생산에 최소 4~5년이 소요되는데, 이들은 공장 건설 착수 1년 3개월 만에 최초 개발제품을 만들었습니다.

경찰은 피해 기술의 경제적 가치가 약 4.3조원에 이르는 것으로 추산하고, 중국 지방정부와 합작한 점에서 경제 안보 근간을 뒤흔들었다고 보고 있습니다.

경찰은 업체로 이직한 임직원도 입건해 수사를 진행 중이며, 산업기술 해외유출 사범에 대한 단속을 강도 높게 이어나가겠다고 밝혔습니다.