삼성반도체 핵심기술 유출해 지분 860억 챙긴 전직 임원 등 구속기소

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삼성전자의 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 전직 임원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 중국 반도체 회사 '청두가오전' 대표 최 모 씨와 개발실장 오 모 씨를 산업기술 보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속기소했다고 밝혔습니다.

최 씨와 오 씨는 지난 2019년 말, 중국 지방정부로부터 4천억 원 상당을 투자받아 청두가오전을 설립한 뒤, 삼성전자의 국가핵심기술인 D램 공정기술을 부정사용해 20나노 D램을 개발한 혐의를 받고 있습니다.

최 씨는 삼성전자 상무와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 부사장을 지내며 국내 반도체 업계에서 30년을 근무한 핵심 인력이었습니다.

오 씨는 삼성전자에서 D램 메모리 수석 연구원으로 근무했습니다.

이들이 빼돌린 기술은 삼성전자가 개발비 4조 원을 투입해 개발한 것으로, 이들은 이를 토대로 중국 내에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 조사됐습니다.

검찰은 청두가오전이 최종 양산에 성공했다면 삼성전자에 최소 수십조 원에 이르는 피해를 줬을 것으로 추산했습니다.

검찰은 최 씨가 860억 원 상당의 청두가오전 지분을 취득하고, 보수 명목으로 18억 원을 받아 챙긴 것으로 보고 있습니다.

또, 청두가오전이 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 추가로 확인해 법인도 함께 재판에 넘겼습니다.