중국에 국내 반도체 핵심 기술 유출 전직 삼성전자 직원 무더기 구속

삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국 반도체 회사로 유출한 전직 삼성전자 직원들이 무더기로 검찰에 기소됐습니다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자의 18나노급 D램 국가핵심기술을 중국 창신메모리로 불법 유출, 부정 사용한 삼성전자 전직 부장과 연구원 등 5명을 산업기술보호법위반죄 등으로 구속기소하고 5명을 불구속기소 했습니다.

삼성전자 임원 및 연구원 출신인 이들은 2016년부터 삼성전자가 5년 동안 1조 6천억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 국가핵심기술을 중국 창신메모리로 빼돌렸습니다.

중국창신메모리는 또한 하이닉스의 협력업체를 통해 하이닉스에서도 국가핵심기술이자 영업비밀인 D램 공정정보도 불법으로 취득한 것으로 드러났습니다.

중국 창신메모리는 중국지방정부가 2조 6천억 원을 투자해 설립한 중국의 유일한 D램 반도체회사로, 개발 전 과정에 걸쳐 국내 반도체 핵심기술을 부정 사용해 2023년 중국 최초로 18나노 D램 양산에 성공했습니다.

검찰은 중국 창신메모리의 기술 유출로 인해 삼성전자의 2024년 추정 매출감소액만 5조 원에 달하는 등 손해가 최소 수십조 원에 이를 것으로 예상된다고 밝혔습니다.